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        碳化硅技術的硬核玩家,英飛凌用“芯”新能源時代
        作者:admin    發布日期:2019/4/26     關注次數:     二維碼分享
        大同碳化硅銷售公司獲悉:近日,英飛凌碳化硅應用技術發展暨光伏與儲能分在春意盎然的上海收官。此次盛會高朋滿座,英飛凌工業功率控制事業部的管理團隊和技術專家與碳化硅產、學、研界的大咖,以及共創系統的合作伙伴齊聚一堂,共話碳化硅技術的發展前景、應用之道,并肩展望未來新能源發展趨勢。

        以“Cool芯英華綻放”為主題,英飛凌科技總監Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術布局”發表主旨演講,為整個大會拉開了序幕。來自英飛凌、臺達電力、中國科學院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TüV集團、IHS Markit的多位專家也出席了,并做了精彩報告。

        在中國產業革新的浪潮下,新興工業、能源產業迅猛發展,技術也不斷更新迭代,這要求功率器件具有更加好的性能表現。而碳化硅功率器件憑借高頻、高功率密度等優勢,將迎來爆發期,廣泛應用于各個領域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車領域、軌道交通等行業,碳化硅器件的市場規模將迅速擴大,有望占據未來的科技制高點。

        作為全球的半導體企業,英飛凌與時俱進、開拓創新,推出了先進的碳化硅技術和完整的解決方案,將在以下應用領域為中國企業和合作伙伴助力:

        ·太陽能領域:碳化硅技術可以在提率的同時,減小系統的體積和重量;

        ·電動汽車充電領域:可以實現高速充電,簡化電路,減少損耗;

        ·電機領域:SiC MOSFET可以降低損耗及噪音,可望減少一半的逆變器體積及重量;

        ·新能源汽車領域:SiC MOSFET將成為主要的技術,將會在新能源汽車的各個部分都能得到應用。

        各位專家還詳細探討了碳化硅技術的優勢,深入剖析了碳化硅技術帶給市場的機遇與挑戰,并就碳化硅市場的現狀與前景分享了自己的獨到見解。

        亮點一:碳化硅駕到,帶給市場的是機遇還是挑戰?

        SiC給市場帶來的機遇遠遠大于挑戰,SiC器件具有高壓、高頻的優勢,但是SiC領域的人士往往對SiC器件是“又愛又恨”,一方面SiC在縮小了體積同時提高了效率,一方面在SiC在應用技術方面又有很高的要求,為了把短路保護,解決噪聲問題和散熱問題,這幾年我們在不斷的提升技術。無論是器件的研發還是系統的應用,SiC仍面臨著很多技術門檻,我們會在這方面與SiC元器件廠商共同努力進步。

        ——臺達電力電子研發執行主任潘琪女士

        亮點二:英飛凌在SiC領域的市場定位,SiC對英飛凌的重要性

        SiC是英飛凌硅化領域中的核心產品,英飛凌在SiC產品的研發和生產方面做出了很多的努力。就生產而言,雖說在SiC原材料供應方面,晶圓的生產周期和產能是一個挑戰,但是英飛凌現有的冷切割技術,推動晶圓的產能得到大幅提升應用。培養SiC技術領域人才方面,英飛凌不斷擴充技術團隊,希望把Si器件方面的生產能力、產能規模能延續到SiC,生產出高質量、可靠的SiC產品,進一步鞏固和提升我們的市場地位:為業界提供可靠的SiC產品與服務!

        英飛凌和國內的很多企業都有關于SiC的探討,在以下行業更是有著成熟的合作:快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、車載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個行業對其效率有提升,比如:提高能效方面和減少重量與體積方面,它一定會對這個領域有著作用。但是SiC器件也不是萬金油,在接下來的很長一段時間,Si與SiC器件都會長期并存,共同發展。

        ——英飛凌科技大中華區副總裁工業功率控制事業部負責人于代輝先生

        亮點三:SiC和Si是一脈相承還是相去?

        可以從SiC與Si器件的原理方面進行分析,就結構來講,Si與SiC材料之間主要的差別是他們承受的電場能力不同,彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現在所做的事情和Si之前所涉的技術大致相同,所以在原理方面是有借鑒之處的。

        ——浙江大學電氣工程學院盛況

        亮點四:如何實現合理的SiC定位?

        SiC的問題是一直很嚴峻,客戶永遠希望越低越好。作為一個新興技術,SiC也有新興技術所存在的普遍問題:產量小、穩定度不夠、價高。雖然大家都希望SiC技術可以普及,但是從新興技術發展到通用技術這個過程往往是十分漫長的。IGBT,從1990年至今,一共發展了30年,走過了7代的技術,從晶圓來講走過了4英寸、6英寸,8英寸、12英寸,從芯片的厚度從300降到了60μm,終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術也同樣需要時間來進行技術上的打磨,從而降低成本。

        ——英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉博士

        亮點五:現代電力系統的特點

        電力電子技術使電能在發生、輸送、分配、利用及存儲等環節都處于可控狀態,可顯著提高電能變換系統的兼容性,在現代電力系統或電網中獲得了廣泛應用。

        ——中國科學院電工研究所李子欣博士

        亮點六:供電網絡的變化及發展趨勢

        隨著新半導體技術的出現,我們可能將電力電子的工作模式發生比較大的變化。通過這種變化,更利于通過不間斷電源對電網和負載的各種問題做主動性的預防。

        ——伊頓電氣研發總監鄭大為先生

        多年來,晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發展歷程,芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm,半導體技術的日新月異不僅造就了先進的碳化硅器件,還有更加滿足特定行業需求的芯片,模塊拓撲和封裝。

        為了進一步搭建行業交流的全新平臺,此次碳化硅應用技術發展還設置了光伏與儲能分。會上不僅有業界分析咨詢公司解讀光儲市場的未來走向,還有認證機構詳解光儲產品設計規范和認證,更有英飛凌的技術專家深入淺出地為參會者介紹光伏產品解決方案,現場互動頻頻、驚喜不斷,掀起了一場半導體業的技術交流熱潮。

        百尺竿頭,更進一步。歷經一載春華秋實,英飛凌碳化硅應用技術發展已在中國生根發芽,結出了累累碩果。未來,英飛凌將繼續矢志創“芯”,碳化硅產業的發展,并與合作伙伴攜手共筑新能源領域的美好未來。


        大同碳化硅網注釋:文章轉載自新浪微博,侵刪。轉發目的,分享行業動態!

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