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        碳化硅多型相變控制技術是什么?
        作者:admin    發布日期:2020/5/7     關注次數:     二維碼分享

        昨日萬先生提問了關于多型相變控制技術是什么?下面一起來認識一下:


        碳化硅


        碳化硅常見多型包括4H、6H、15R。15R與4H、15R與6H是晶格失配,易產生裂紋。但是,生長中包括兩類問題:4H晶體生長,易出現6H、15R雜相;6H晶體生長,易出現15R雜相。


        可能的機理分析:(0001)面的平面區過大,成的SiC層容易采用不同于上一層的堆疊方式,造成c方向堆疊的不延續,出現隨機性。降低平面區大小,形成更多的臺階,這樣至少短期內是沒有新層出現,或者說減少新層同時出現的區域。


        可能的應對方法:方案1.調節氣氛。氮氣氣氛能夠構筑更多的臺階;方案2.籽晶處理。(001)晶面偏4°生長。同樣用于層錯控制技術。


        其實,這里叫做多型相變控制技術,其實是從結果出發的。


        技術點有兩個方向:一是關注可控的事物,一是關注結果。改變可控的事物,這就是技術;而技術展現后,實現結果。這里,也可以拆解為兩個技術:氣氛類型控制技術,以及籽晶方向控制技術。一般,實現一個結果需要多種技術的綜合;但是,可能一個技術實現了多種需要的結果。


        比如,籽晶的引入,使得Lely法升級為物理的氣相輸運法,開創了碳化硅單晶的工業化。不但擴大了碳化硅單晶的尺寸,也增加了碳化硅單晶的質量。

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